拓荆键科半导体设备有限公司总经理郭万里：后摩尔时代，混合键合技术将成中国集成电路突围关键

5月29日，2026年青岛新一代信息技术及人工智能产业对接大会于山东青岛举办，本次大会由青岛市高质量招商引资指挥部办公室、青岛市发展和改革委员会、青岛市工业和信息化局、青岛华通国有资本投资运营集团有限公司主办；青岛数据集团有限公司、青岛华通创业投资有限责任公司承办，以“向新·向智·向未来”为主题，汇聚政府、产业、资本等各方智慧，搭建思想碰撞、资源互通、合作共赢的高端交流平台。

来自全国各地的产业领军企业依次登台，分享前沿技术与创新成果。作为国家高新技术企业、多次获评“中国半导体设备五强企业”的拓荆科技股份有限公司受邀出席。拓荆键科半导体设备有限公司总经理郭万里以《后摩尔时代集成电路技术发展趋势》为题展开行业分享。

“在国际主流路线图之外，中国其实有自己的创新路径。”郭万里开宗明义。他指出，国内目前没有EUV光刻机，但这并不意味着技术迭代无路可走。国际上利用键合技术进行信号互联，而国内学者已提出更激进的方案——开始尝试背部器件集成。

在存储器领域，DRAM正走向10纳米以下，同样面临EUV光刻机缺失的瓶颈。郭万里表示，国内正转向三维垂直集成技术以应对这种瓶颈和挑战，其中两种键合技术成为关键：混合键合与熔融键合。混合键合是三维集成领域的核心技术，熔融键合则和前面的逻辑芯片背部器件技术类似，目前这两项技术在全球也属于比较前沿的领域。

他以3D NAND为例，指出国内长江存储基于混合键合架构的产品迭代速度远超前三大国际竞争对手。未来向400层演进时，全球所有玩家都将转向混合键合技术；而走向1000层，则必须引入多片晶圆键合技术。

在系统集成层面，郭万里比较了传统微凸点（Micro bump）与混合键合的性能差异。混合键合技术在功耗、散热等方面具有巨大优势，并在各类芯片产品中初步应用。例如苹果M5 Max芯片已在消费级产品中采用混合键合技术；高带宽存储器（HBM）当前虽目前仍以Micro bump为主，但未来应用混合键合技术已成为业界共识。

此外，在Micro LED等异质集成领域，硅材料存在局限，越来越多的半导体与硅基需要融合，键合技术正是实现理想性能的关键。

郭万里透露，拓荆科技早在2018年便开始布局先进键合领域，至今已有八年。目前拓荆的先进键合系列产品已实现全覆盖，广泛应用于CIS图像传感器、3D NAND、逻辑背部器件等场景，是唯一可应用于量产产线的先进键合国产设备商。

“以上是拓荆对于混合键合技术的分享。”郭万里总结道，在缺乏EUV光刻机的现实约束下，混合键合技术正成为中国集成电路在后摩尔时代实现技术迭代、突破瓶颈的关键路径之一。